Micsig Tastkopf MOIP03P

Modell	MOIP100P	MOIP200P	MOIP350P	MOIP500P	MOIP800P	MOIP1000P
Bandbreite	100 MHz	200 MHz	350 MHz	500 MHz	800 MHz	1 GHz
Anstiegszeit	≤3,5 ns	≤1,75 ns	≤1 ns	≤700 ps	≤438 ps	≤350 ps
CMRR	DC: 180 dB 100MHz: 128 dB	DC: 180 dB 200 MHz: 122 dB	DC: 180 dB 350 MHz: 118 dB	DC: 180 dB 500 MHz: 114 dB	DC: 180 dB 800 MHz: 110 dB	DC: 180 dB 1 GHz: 108 dB"
Diff. Spannung	± 6.250 V	± 6.250 V	± 6.250 V	± 5.000 V	± 5.000 V	± 5.000 V
Rauschen	<1,46 mVrms	<1,46 mVrms	<1,46 mVrms	<0,45 μVrms	<0,45 μVrms	<0,45 μVrms
SMA-Impedanz	1 MΩ / 10 pF	1 MΩ / 10 pF	1 MΩ / 10 pF	1 MΩ / 10 pF	1 MΩ / 10 pF	1 MΩ / 10 pF
Laufzeitverzögerung	15,42 ns (2 m Kabellänge)	15,42 ns (2 m Kabellänge)	15,42 ns (2 m Kabellänge)	16 ns (2 m Kabellänge)	16 ns (2 m Kabellänge)	16 ns (2 m Kabellänge)
Versorgung	USB Typ-C, DC: 5V	USB Typ-C, DC: 5V	USB Typ-C, DC: 5V	USB Typ-C, DC: 5V	USB Typ-C, DC: 5V	USB Typ-C, DC: 5V
Genauigkeit	1 %	1 %	1 %	1 %	1 %	1 %
Gleichtakt-Spannungsbereich	85 kVpk	85 kVpk	85 kVpk	85 kVpk	85 kVpk	85 kVpk

Dämpfungsspitze	Adapter	Teilerfaktor	Spannungsbereich	Max Eingangsspannung	Eingangswiderstand
OP10-2	MMCX	10:1 @ 0 dB 1:1 @ 20 dB	±12,5 V ±1,25 V	1000 Vpp	3,75 MΩ \|\| 6 pF
OP20-2	MMCX	20:1 @ 0 dB 2:1 @ 20 dB	±25 V ±2,5 V	1000 Vpp	4,47 MΩ \|\| 4 pF
OP50-2	MMCX	50:1 @ 0 dB 5:1 @ 20 dB	±62,5 V ±6,25 V	1000 Vpp	4,19 MΩ \|\| 2 pF
OP100-2	MMCX	100:1 @ 0 dB 10:1 @ 20 dB	±125 V ±12,5 V	1000 Vpp	4,10 MΩ \|\| 2 pF
OP200-2	MCX	200:1 @ 0 dB 20:1 @ 20 dB	±250 V ±25 V	2500 Vpp	9,03 MΩ \|\| 2 pF
OP500-2	MCX	500:1 @ 0 dB 50:1 @ 20 dB	±625 V ±62,5 V	2500 Vpp	20,98 MΩ \|\| 1 pF
OP1000-2	MCX	1000:1 @ 0 dB 100:1 @ 20 dB	±1250 V ±125 V	2500 Vpp	20,94 MΩ \|\| 1 pF
OP2000-2	MCX	2000:1 @ 0 dB 200:1 @ 20 dB	±2500 V ±250 V	2500 Vpp	20,52 MΩ \|\| 1 pF
OP5000-2	LCX	5000:1 @ 0 dB 500:1 @ 20 dB	±6250 V ±625 V	8000 Vpp	40,82 MΩ\|\| 2,4 pF

Dämpfungsspitze	Adapter	Teilerfaktor	Spannungsbereich	Max Eingangsspannung	Eingangswiderstand
OP10-3	MMCX	10:1 @ 0 dB 1:1 @ 20 dB	±12,5 V ±1,25 V	1000 Vpp	3,75 MΩ \|\| 6 pF
OP20-3	MMCX	20:1 @ 0 dB 2:1 @ 20 dB	±25 V ±2,5 V	1000 Vpp	4,47 MΩ \|\| 4 pF
OP50-3	MMCX	50:1 @ 0 dB 5:1 @ 20 dB	±62,5 V ±6,25 V	1000 Vpp	4,19 MΩ \|\| 2 pF
OP100-3	MMCX	100:1 @ 0 dB 10:1 @ 20 dB	±125 V ±12,5 V	1000 Vpp	4,10 MΩ \|\| 2 pF
OP200-3	MCX	200:1 @ 0 dB 20:1 @ 20 dB	±250 V ±25 V	2500 Vpp	9,03 MΩ \|\| 2 pF
OP500-3	MCX	500:1 @ 0 dB 50:1 @ 20 dB	±625 V ±62,5 V	2500 Vpp	20,98 MΩ \|\| 1 pF
OP1000-3	MCX	1000:1 @ 0 dB 100:1 @ 20 dB	±1250 V ±125 V	2500 Vpp	20,94 MΩ \|\| 1 pF
OP2000-3	MCX	2000:1 @ 0 dB 200:1 @ 20 dB	±2500 V ±250 V	2500 Vpp	20,52 MΩ \|\| 1 pF
OP5000-3	LCX	5000:1 @ 0 dB 500:1 @ 20 dB	±6250 V ±625 V	8000 Vpp	40,82 MΩ\|\| 2,4 pF

Echte Signale erfassen

Der SigOFIT-Tastkopf hat das höchste Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 128 dB bei 100 MHz und über 100 dB bei 1 GHz. Es ist der ultimative Maßstab für die Signaltreue, die von anderen Spannungstastköpfen gemessen wird.

Höchste Genauigkeit

Die isolierte SigOFIT-Lichtwellenleitersonde bietet höchste Prüfgenauigkeit. Sie hat hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften, DC-Verstärkungsgenauigkeit ≤1 %, während das Rauschen ≤ 0,45 mVrms ist. Nullpunktdrift <0,1 % (nach 5 Minuten), Verstärkungsdrift ebenfalls <1 %.

Bester Tastkopf für Halbleiter der dritten Generation

SiC- und GaN-Bauteile können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, wobei das Signal energiereiche hochfrequente Oberschwingungen aufweisen kann. Selbst bei der höchsten Bandbreite hat die SigOFIT-Sonde immer noch fast 100dB CMRR, unterdrückt perfekt die Oszillation, die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursacht wird, und hat keine redundanten Komponenten. Er ist die beste Wahl für Halbleitertests und -messungen der 3. Generation.

Sicheres Testen von GaN

Die Messleitungen der SigOFIT-Sonde sind kurz und mit Koaxialkabelübertragung, hat weniger als 2,5pF Eingangskapazität, sehr sicher, um GaN zu testen.

Wenn die Arbeitsparameter des Geräts bereits im kritischen Zustand der Explosivität sind, werden fast 2,5pF mehr Kapazität hinzugefügt, wenn sie an den Prüfling angeschlossen werden, die Sicherheit ist daher nicht garantiert.

Großer Messbereich

Im Gegensatz zu herkömmlichen Differentialsonden, die nur Hochspannungssignale messen können, kann die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differentialsignale von ±0,1 V bis ±5000 V zu messen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hoher Signal-Rausch-Abstand erreicht wird.Großer Messbereich Im Gegensatz zu herkömmlichen Differentialsonden, die nur Hochspannungssignale messen können, kann die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differentialsignale von ±0,1 V bis ±5000 V zu messen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hoher Signal-Rausch-Abstand erreicht wird.

Effizient und erschwinglich

Schnellste Reaktion, kann sofort nach dem Einschalten getestet werden; AutoZero ist in weniger als 1 Sekunde abgeschlossen und gewährleistet eine genaue Signalausgabe in Echtzeit.

Micsig MOIP03P

Beschreibung

Dämpfungsspitzen für MOIP100P und MOIP200P (OP20-2 als Standard geliefert)

Dämpfungsspitzen für MOIP350P (OP20-3 und OP1000-3 als Standard geliefert)

Echte Signale erfassen

Höchste Genauigkeit

Bester Tastkopf für Halbleiter der dritten Generation

Sicheres Testen von GaN

Großer Messbereich

Effizient und erschwinglich

Zubehör

Micsig SigOFIT-Tastköpfe, Spitzen 500 MHz

Micsig OP20-5

Micsig OP50-5

Micsig OP1000-5

Micsig OP2000-5

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SigOFIT Anleitung

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