Modell | MOIP01P | MOIP02P | MOIP03P | MOIP05P | MOIP08P | MOIP10P |
---|---|---|---|---|---|---|
Bandbreite | 100 MHz | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 800 MHz | 1 GHz |
Anstiegszeit | ≤3,5 ns | ≤1,75 ns | ≤1 ns | ≤700 ps | ≤438 ps | ≤350 ps |
CMRR | DC: 180 dB 100MHz: 128 dB | DC: 180 dB 200 MHz: 122 dB | DC: 180 dB 350 MHz: 118 dB | DC: 180 dB 500 MHz: 114 dB | DC: 180 dB 800 MHz: 110 dB | DC: 180 dB 1 GHz: 108 dB" |
Diff. Spannung | 2,5 V - 5.000 V | 2,5 V - 5.000 V | 1,25 V - 5.000 V | 0,1 V - 5.000 V | 0,1 V - 5.000 V | 0,1 V - 5.000 V |
Rauschen | <1,46 mVrms | <1,46 mVrms | <1,46 mVrms | <0,45 μVrms | <0,45 μVrms | <0,45 μVrms |
SMA-Impedanz | 1 MΩ / 10 pF | 1 MΩ / 10 pF | 1 MΩ / 10 pF | 1 MΩ / 10 pF | 1 MΩ / 10 pF | 1 MΩ / 10 pF |
Laufzeitverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 16 ns (2 m Kabellänge) | 16 ns (2 m Kabellänge) | 16 ns (2 m Kabellänge) |
Versorgung | USB Typ-C, DC: 5V | USB Typ-C, DC: 5V | USB Typ-C, DC: 5V | USB Typ-C, DC: 5V | USB Typ-C, DC: 5V | USB Typ-C, DC: 5V |
Genauigkeit | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
Gleichtakt-Spannungsbereich | 60 kVpk | 60 kVpk | 60 kVpk | 60 kVpk | 60 kVpk | 60 kVpk |
Model No. | Standardspitze(n) | Optionale Spitze(n) |
---|---|---|
MOIP01P MOIP02P | OP10-2 | OP20-2, OP500-2, OP1000-2 *Mehr auf Anfrage |
MOIP03P MOIP05P | OP20-5 OP1000-5 | OP50-5, OP2000-5 *Mehr auf Anfrage |
MOIP08P MOIP10P | OP20-1G OP1000-1G | OP50-1G, OP2000-1G *Mehr auf Anfrage |
Modell | Beschreibung |
---|---|
OP10-2 | 10:1, ±25 V |
OP20-2 | 20:1, ±50 V |
OP500-2 | 500:1, ±1250 V |
OP1000-2 | 1000:1, ±2500 V |
OP20-5 | 20:1, ±25 V |
OP5-5 | 50:1, ± 62,5 V |
OP1000-5 | 1000:1, ±1250 V |
OP2000-5 | 2000:1, ±2500 V |
OP20-1G | 20:1, ±25 V |
OP50-1G | 50:1, ±62,5 V |
OP1000-1G | 1000:1, ±1250 V |
OP2000-1G | 2000:1, ±2500 V |
SiC- und GaN-Bauteile können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, wobei das Signal energiereiche hochfrequente Oberschwingungen aufweisen kann. Selbst bei der höchsten Bandbreite hat die SigOFIT-Sonde immer noch fast 100dB CMRR, unterdrückt perfekt die Oszillation, die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursacht wird, und hat keine redundanten Komponenten. Er ist die beste Wahl für Halbleitertests und -messungen der 3. Generation.
Die Messleitungen der SigOFIT-Sonde sind kurz und mit Koaxialkabelübertragung, hat weniger als 2,5pF Eingangskapazität, sehr sicher, um GaN zu testen.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Differentialsonden, die nur Hochspannungssignale messen können, kann die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differentialsignale von ±0,1 V bis ±5000 V zu messen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hoher Signal-Rausch-Abstand erreicht wird.Großer Messbereich Im Gegensatz zu herkömmlichen Differentialsonden, die nur Hochspannungssignale messen können, kann die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differentialsignale von ±0,1 V bis ±5000 V zu messen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hoher Signal-Rausch-Abstand erreicht wird.
Sprache: Englisch
Version: V1.5
Dateigröße: 1.38 MiB
Erscheinungsdatum: 23.10.2023
Sprache: Englisch
Version: V1.5
Dateigröße: 802.32 KiB
Erscheinungsdatum: 24.07.2023
Sprache: Englisch
Dateigröße: 1.82 MiB
Erscheinungsdatum: 20.04.2024
Sprache: Englisch
Version: V2.0
Dateigröße: 507.69 KiB
Erscheinungsdatum: 23.10.2023