Der faseroptisch isolierte Tastkopf SigOFIT Gen 3 MOIP350P ermöglicht die Messung niedriger und hoher Spannungen mit einer Bandbreite von 200 MHz und einem Gleichtaktpegel von bis zu 85 kVpk.
Dank Micsigs exklusiver optischer Isolationstechnologie SigOFIT™ wird die SigOFIT-Sonde laserbetrieben und liefert eine extrem hohe Gleichtaktunterdrückung (CMRR) und Isolationsspannung. Im Gegensatz zu herkömmlichen Differenzialsonden, die ausschließlich Hochspannungssignale messen können, ermöglicht die SigOFIT-Sonde die Messung von Differenzsignalen in Spannungsbereichen von ±0,01 V bis ±20 kV. Dadurch wird ein voller Messbereich und ein sehr hohes Signal-Rausch-Verhältnis erzielt. Halbleiterbauelemente der dritten Generation, wie SiC und GaN, sind in der Lage, hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden zu schalten. Dabei entstehen hochenergetische, hochfrequente Oberschwingungen. Durch den Einsatz von hochwertigen koaxialen Dämpfungsspitzen und branchenüblichen MCX- und MMCX-Steckverbindern werden die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursachten Schwingungen der SigOFIT-Sonden perfekt unterdrückt.
Im Gegensatz zu Sonden der vorherigen Generation ermöglicht die SigOFIT Gen 3-Serie kalibrierungsfreie Messungen und benötigt keine automatische Nullpunktjustierung. Dies reduziert die Einrichtungszeit und ermöglicht es Ingenieuren, sofort mit den Messungen zu beginnen, bei gleichzeitig hervorragender Genauigkeit und Langzeitstabilität.
Darüber hinaus verfügt die MOIP200P-Sonde über eine sehr niedrige Eingangsimpedanz von < 3 pF, ein sehr hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von bis zu 122 dB und eine sehr genaue Gleichstromverstärkung von 1 %.#
| Spezifikation | MOIP1000P noch nicht verfügbar | MOIP500P noch nicht verfügbar | MOIP350P | MOIP200P |
|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 1 GHz | 500 MHz | 350 MHz | 200 MHz |
| Anstiegszeit | ≤ 450 ps | ≤ 800 ps | ≤ 1 ns | ≤ 1,75 ns |
| Gleichtaktunterdrückung (CMRR) | DC: 180 dB; 1 GHz: 108 dB | DC: 180 dB; 500 MHz: 114 dB | DC: 180 dB; 350 MHz: 118 dB | DC: 180 dB; 200 MHz: 122 dB |
| Differenzieller Spannungsbereich | Standard: OP50 (MMCX), ±25 V OP5000 (MCX), ±2500 V Andere Messbereiche anpassbar. | Standard: OP50 (MMCX), ±25 V OP5000 (MCX), ±2500 V Andere Messbereiche anpassbar. | Standard: OP50 (MMCX), ±25 V OP5000 (MCX), ±2500 V Andere Messbereiche anpassbar. | Standard: OP50 (MMCX), ±25 V Andere Messbereiche anpassbar. |
| Rauschen | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms |
| DC-Verstärkungsgenauigkeit | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| Stromversorgung | DC 12 V | DC 12 V | DC 12 V | DC 12 V |
| Länge des Glasfaserkabels | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) |
| Schnittstelle | Universal-BNC | Universal-BNC | Universal-BNC | Universal-BNC |
Alle technischen Daten finden Sie im Datenblatt
Die Kombination aus Tastkopf und Dämpfungsspitze legt die technischen Daten des Tastkopfes fest. Um die richtige Spitze für den geplanten Einsatzbereich zu finden, ist es wichtig, die Eckdaten Differenzspanngsbereich, max. Eingangsspannung und Eingangswiderstand korrekt zu ermitteln. Bei Unsicherheit empfehlen wir, unseren technischen Support zu kontaktieren.
| Modell | Anschluss | Dämpfungsverhältnis | Spannungsbereich | Zerstörungsfreie Spannung (max.) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|---|---|
| OP20-3 | MMCX | 20:1 @ 0 dB 2:1 @ 20 dB | ±10 V ±1 V | 1000 Vpk | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50-3 | MMCX | 50:1 @ 0 dB 5:1 @ 20 dB | ±25 V ±2,5 V | 1000 Vpk | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100-3 | MMCX | 100:1 @ 0 dB 10:1 @ 20 dB | ±50 V ±5 V | 1000 Vpk | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP200-3 | MCX | 200:1 @ 0 dB 20:1 @ 20 dB | ±100 V ±10 V | 2500 Vpk | 8 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP500-3 | MCX | 500:1 @ 0 dB 50:1 @ 20 dB | ±250 V ±25 V | 2500 Vpk | 5 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP1000-3 | MCX | 1000:1 @ 0 dB 100:1 @ 20 dB | ±500 V ±50 V | 2500 Vpk | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000-3 | MCX | 2000:1 @ 0 dB 200:1 @ 20 dB | ±1000 V ±100 V | 2500 Vpk | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000-3 | MCX | 5000:1 @ 0 dB 500:1 @ 20 dB | ±2500 V ±250 V | 2500 Vpk | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP10000-3 | LCX | 10000:1 @ 0 dB 1000:1 @ 20 dB | ±5000 V ±500 V | 8000 Vpk | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
SiC- und GaN-Bauteile können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, wobei das Signal energiereiche hochfrequente Oberschwingungen aufweisen kann. Selbst bei der höchsten Bandbreite hat die SigOFIT-Sonde immer noch fast 100dB CMRR, unterdrückt perfekt die Oszillation, die durch hochfrequentes Gleichtaktrauschen verursacht wird, und hat keine redundanten Komponenten. Er ist die beste Wahl für Halbleitertests und -messungen der 3. Generation.
Die Messleitungen der SigOFIT-Sonde sind kurz und mit Koaxialkabelübertragung, hat weniger als 2,5pF Eingangskapazität, sehr sicher, um GaN zu testen.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Differentialtastköpfen, die nur Hochspannungssignale messen können, kann die SigOFIT-Sonde mit verschiedenen Dämpfungsspitzen verwendet werden, um Differentialsignale von ±0,1 V bis ±8.000 V zu messen, wobei ein voller Messbereich und ein sehr hoher Signal-Rausch-Abstand erreicht wird.
Sprache: Englisch
Dateigröße: 4.88 MiB
Erscheinungsdatum: 13.07.2026
Sprache: Englisch
Dateigröße: 1.15 MiB
Erscheinungsdatum: 07.07.2026
Sprache: Englisch
Dateigröße: 713.47 KiB
Erscheinungsdatum: 12.05.2026